Förberedelse av EBSD-prover för tredje generationens halvledarkraftsanordningar
Tredje generationens halvledarkraftsanordningar tillverkas huvudsakligen baserat på bredbandgap-halvledarmaterial såsom kiselkarbid (SIC) och galliumnitrid (GaN) och jämfört med...
Läs mer
Jul.10.2025